参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPB320N20N3 Gn:
说明	功率MOSFET   10mm
起订量	0
最小包	0
现货	394 [库存更新时间：2024-05-05]
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	34A
Rds On(Max)@Id,Vgs	28mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	29nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	136W
高度	4.4mm
长度	10mm
系列	OptiMOS3
宽度	9.25mm
正向跨导 - 最小值	27S
下降时间	4ns
上升时间	9ns
典型关闭延迟时间	21ns
典型接通延迟时间	11ns
工作温度	-55°C~175°C